[发明专利]获取离子注入工艺参数的方法、监测晶片及其制造方法有效
| 申请号： | 201110139469.X | 申请日： | 2011-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN102800604A | 公开（公告）日： | 2012-11-28 |
| 发明（设计）人： | 陈勇;朱红波 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/00;H01L21/314 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种获取离子注入工艺参数的方法，包括：提供监测晶片，所述监测晶片的第一表面具有离子注入层，所述监测晶片相对于第一表面的第二表面上依次覆盖有第一氧化层和第一氮化层；在第一温度状态，对所述监测晶片进行快速退火；测量所述经快速退火的监测晶片的平面电阻；如果所述监测晶片的平面电阻落入规定范围，则将所述监测晶片的离子注入层对应的注入参数组合作为实际生产工艺中晶片的离子注入参数。本发明还提供一种监测快速退火工艺的晶片及其制作方法。采用本发明的获取离子注入工艺参数的方法、监测晶片及监测晶片的制造方法，可以使得监测过程更为接近实际晶片的快速退火工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 获取 离子 注入 工艺 参数 方法 监测 晶片 及其 制造 | ||
【主权项】：
一种获取离子注入工艺参数的方法，其特征在于，包括：提供监测晶片，所述监测晶片的第一表面具有离子注入层，所述监测晶片相对于第一表面的第二表面上依次覆盖有第一氧化层和第一氮化层；在第一温度状态，对所述监测晶片进行快速退火，所述第一温度为使所述监测晶片中注入离子活化或处于本征粒子位置的温度；测量所述经快速退火的监测晶片的平面电阻；如果所述监测晶片的平面电阻落入规定范围，则将所述监测晶片的离子注入层对应的注入参数组合作为实际生产工艺中晶片的离子注入参数。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
