[发明专利]图形化膜层的方法、形成栅极、MOS晶体管的方法有效
| 申请号： | 201110139487.8 | 申请日： | 2011-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN102800576A | 公开（公告）日： | 2012-11-28 |
| 发明（设计）人： | 何其旸;张翼英 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种图形化膜层的方法、形成栅极、MOS晶体管的方法，所述图形化膜层的方法包括：提供基底；在所述基底上形成图形化的牺牲层；在所述基底上形成需要图形化的膜层，所述膜层的上表面与所述图形化的牺牲层的上表面相平；在所述膜层上形成图形层，所述图形层和图形化的牺牲层共同定义出膜层图形化的图形；以所述图形层为掩膜刻蚀所述膜层，形成图形化的膜层；去除所述图形层、图形化的牺牲层。本技术方案以图形层为掩膜刻蚀膜层时即完成了对膜层的图形化，节省了刻蚀膜层的步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 图形 化膜层 方法 形成 栅极 mos 晶体管 | ||
【主权项】：
一种图形化膜层的方法，其特征在于，包括：提供基底；在所述基底上形成图形化的牺牲层；在所述基底上形成膜层，所述膜层的上表面与所述图形化的牺牲层的上表面相平；在所述膜层上形成图形层，所述图形层和图形化的牺牲层共同定义出膜层图形化的图形；以所述图形层为掩膜刻蚀所述膜层，形成图形化的膜层；去除所述图形层、图形化的牺牲层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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