[发明专利]金属栅极及MOS晶体管的形成方法有效
| 申请号： | 201110139496.7 | 申请日： | 2011-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN102800577A | 公开（公告）日： | 2012-11-28 |
| 发明（设计）人： | 倪景华 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种金属栅极及MOS晶体管的形成方法。其中金属栅极的形成方法，包括：提供衬底，在所述衬底表面形成替代栅极结构；在所述衬底上形成层间介质层，所述层间介质层的表面与替代栅电极层顶部齐平；以层间介质层为掩膜，去除替代栅极结构，形成沟槽；在层间介质层上、沟槽侧壁和底部形成第一金属层；在第一金属层上形成掩膜层，所述掩膜层填充满沟槽；对掩膜层进行回刻蚀至露出第一金属层后，去除沟槽内剩余的掩膜层；在第一金属层上形成第二金属层，所述第二金属层填充满沟槽；平坦化第二金属层和第一金属层至露出层间介质层，在沟槽内形成金属栅极。本发明避免由于沟槽侧壁顶部金属层堆积而导致的沟槽内形成空隙，从而可以提高半导体器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 栅极 mos 晶体管 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种金属栅极的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，在所述衬底表面形成替代栅结构，所述替代栅极结构；在所述衬底上形成层间介质层，所述层间介质层的表面与替代栅极结构顶部齐平；以层间介质层为掩膜，去除替代栅极结构，形成沟槽；在层间介质层上、沟槽侧壁和底部形成第一金属层；在第一金属层上形成掩膜层，所述掩膜层填充满沟槽；对掩膜层进行回刻蚀至露出第一金属层后，去除沟槽内剩余的掩膜层；在第一金属层上形成第二金属层，所述第二金属层填充满沟槽；平坦化第二金属层和第一金属层至露出层间介质层，在沟槽内形成金属栅极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
