[发明专利]一种采用电场增强层的阻变存储器及其制备方法无效
| 申请号： | 201110139900.0 | 申请日： | 2011-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN102208532A | 公开（公告）日： | 2011-10-05 |
| 发明（设计）人： | 张卫;陈琳;周鹏;孙清清;王鹏飞 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陆飞;盛志范 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于不挥发存储器技术领域，具体为一种采用电场增强层的阻变存储器及其制造方法。本发明阻变存储器包括顶电极、底电极以及位于所述顶电极与所述底电极之间的一层阻变功能介质层和一层电场增强层；所述的电场增强层和电阻转变存储层相邻，并且，电场增强层的介电常数低于阻变功能介质层的介电常数。本发明选用不同介电常数的阻变功能材料组成叠层结构来调节阻变存储结构单元中的电场分布，进而通过控制该电场分布来实现阻变存储器在阻变过程中所形成的导电通道结构和数量上的控制。本发明提出的阻变存储器性能稳定可控。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 采用 电场 增强 存储器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种阻变存储器，其特征在于包括顶电极、底电极以及位于所述顶电极与所述底电极之间的一层阻变功能介质层和一层电场增强层；所述的电场增强层和电阻转变存储层相邻，并且，电场增强层的介电常数低于阻变功能介质层的介电常数。
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