[发明专利]用于PDP驱动芯片的P型金属氧化物半导体管无效
| 申请号： | 201110140204.1 | 申请日： | 2011-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN102231389A | 公开（公告）日： | 2011-11-02 |
| 发明（设计）人： | 廖红 | 申请（专利权）人： | 四川长虹电器股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/08 |
| 代理公司： | 成都虹桥专利事务所 51124 | 代理人： | 李顺德 |
| 地址： | 621000 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体技术。本发明解决了现有PDP驱动芯片的P型金属氧化物半导体管在电平位移电路中的高端P型金属氧化物半导体管的源端电源到隔离槽之间的N型外延层容易击穿的问题，提供了一种PDP驱动芯片的P型金属氧化物半导体管，其技术方案为：PDP驱动芯片的P型金属氧化物半导体管，其P型漏端欧姆接触区的上表面与漏端金属相连，其余部分设置在P型缓冲区中，而P型缓冲区设置在高压P型阱中，隔离槽设置在N型外延层中漏极位置外延的场氧化层与埋氧层之间，P型漏端欧姆接触区的外侧，隔离槽与高压P型阱的水平距离不为0。本发明的有益效果是，不易击穿，适用于PDP驱动芯片的P型金属氧化物半导体管。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 pdp 驱动 芯片 金属 氧化物 半导体 | ||
【主权项】：
PDP驱动芯片的P型金属氧化物半导体管，包括场氧化层、埋氧层、漏端金属、P型漏端欧姆接触区、高压P型阱、P型缓冲区、N型外延层及隔离槽，其特征在于，所述P型漏端欧姆接触区的上表面与漏端金属相连，其余部分设置在P型缓冲区中，所述P型缓冲区设置在高压P型阱中，隔离槽设置在N型外延层中漏极位置外延的场氧化层与埋氧层之间，所述隔离槽与高压P型阱的水平距离不为0。
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