[发明专利]一种玻璃基全掩埋式条形光波导堆栈的制作方法

摘要

本发明公开了一种玻璃基全掩埋式条形光波导堆栈的制作方法。这种玻璃基全掩埋式条形光波导堆栈是采用离子交换及电场辅助离子扩散技术，通过在玻璃基片上顺次制作多层掩埋式光波导形成的。本发明所涉及的制作方法制作的条形光波导堆栈器件具有工艺简单成熟、容易集成、损耗低的特点，而且获得的光波导芯部形状对称。

主权项

一种玻璃基全掩埋式条形光波导堆栈的制作方法，其特征在于：是采用离子交换及电场辅助离子扩散技术，通过在玻璃基片上顺次制作多层掩埋式光波导形成的；该制作方法包含如下实施步骤：1)准备玻璃基片(3)；清洗玻璃基片(3)，再用去离子水冲洗，在无尘环境中烘干；2)在清洁的玻璃基片(3)表面制作一层薄膜，并采用光刻和腐蚀加工工艺在玻璃基片表面制作光波导掩膜(6)；3)离子交换形成第一层表面光波导(7)；将含有掺杂离子的盐作为交换源加热使其熔融后，将玻璃基片(3)浸入离子交换源中，交换温度为300～560℃，交换时间为0.1～5小时，最后取出玻璃基片(3)冷却至常温；4)电场辅助离子扩散形成第一层掩埋光波导(8)；玻璃基片(3)去除掩膜后，在电场作用下进行电场辅助离子扩散，温度为300～560℃，时间为0.5～20小时，电场为50～550V/mm，电场正极与玻璃基片(3)上有波导的一面同侧，最后取出玻璃基片(3)冷却至常温，制作出第一层掩埋光波导；5)重新清洗玻璃基片(3)，在有波导的一面制作一层薄膜，并采用光刻和腐蚀加工工艺在玻璃基片表面制作光波导掩膜(6)；6)离子交换形成第二层表面光波导(9)；将含有掺杂离子的盐作为交换源加热使其熔融后，将玻璃基片(3)浸入离子交换源中，交换温度为300～560℃，交换时间为0.1～5小时，最后取出玻璃基片(3)冷却至常温；7)电场辅助离子扩散形成第二层掩埋光波导(10)；玻璃基片(3)去除掩膜后，在电场作用下进行电场辅助离子扩散，温度为300～560℃，时间为0.5～20小时，电场为50～550V/mm，电场正极与玻璃基片(3)上有波导的一面同侧，最后取出玻璃基片(3)冷却至常温，制作出第二层掩埋光波导；8)重复第5至7步骤，制作出第三层、第四层...掩埋光波导；9)将玻璃基片(3)端面进行光学加工。