[发明专利]金属导电结构及其制作方法有效
申请号: | 201110141905.7 | 申请日: | 2011-05-30 |
公开(公告)号: | CN102214616A | 公开(公告)日: | 2011-10-12 |
发明(设计)人: | 王志豪;黄柏辅;李俊右 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/00 | 分类号: | H01L23/00;H01L23/488;H01L21/60 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 陈小雯 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明公开一种金属导电结构及其制作方法。该金属导电结构包含一载体、一第一金属、一第二金属以及一绝缘层。第一金属与第二金属依序设于载体上。第一金属的氧化电位大于或等于铜的氧化电位,且第二金属的氧化电位小于或等于银的氧化电位。并且,绝缘层覆盖第一金属的侧壁,且绝缘层包含有第一金属的一氧化物。 | ||
搜索关键词: | 金属 导电 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
一种金属导电结构,包含:载体;导电层,位于该载体上;第一金属,设于该导电层上,其中该第一金属具有上表面与侧壁,且该第一金属的氧化电位大于或等于铜的氧化电位;第二金属,设于该第一金属的该上表面,且该第二金属的氧化电位小于或等于银的氧化电位;以及绝缘层,覆盖该第一金属的该侧壁,且该绝缘层包含有该第一金属的一氧化物。
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