[发明专利]一种正面电极二次套印工艺无效
申请号: | 201110142187.5 | 申请日: | 2011-05-30 |
公开(公告)号: | CN102270696A | 公开(公告)日: | 2011-12-07 |
发明(设计)人: | 安丹丹;黄红娜;张满良;吴廷斌 | 申请(专利权)人: | 合肥海润光伏科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;B41M1/12 |
代理公司: | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人: | 徐激波 |
地址: | 230000 安徽省合肥*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本发明公开了一种正面电极二次套印工艺,包括以下步骤:采用一号丝网印刷机印刷背电极;采用二号丝网印刷机印刷背电场;在背电极、背电场印刷完成之后,电池片正面栅线图案印刷通过主栅线、辅栅线二次套印的方式完成,即将主栅线、辅栅线分开印刷。本发明通过对电池片正面栅线采用二次套印技术,在不影响辅栅线高宽比的前提下,降低主栅线高度,改善印刷品质,减少银浆耗量,以达到降低电池片制造成本并提升转换效率的目的。 | ||
搜索关键词: | 一种 正面 电极 二次 套印 工艺 | ||
【主权项】:
一种正面电极二次套印工艺,其特征在于:包括以下步骤:1)采用一号丝网印刷机印刷背电极;2)采用二号丝网印刷机印刷背电场;3)在背电极、背电场印刷完成之后,电池片正面栅线图案印刷通过主栅线、辅栅线二次套印的方式完成,即将主栅线、辅栅线分开印刷。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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