[发明专利]各向异性可调制的磁性薄膜结构、磁敏传感器及制备方法有效
| 申请号： | 201110143364.1 | 申请日： | 2011-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN102810630A | 公开（公告）日： | 2012-12-05 |
| 发明（设计）人： | 余天;王文秀;韩秀峰 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/10;H01L43/12 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 梁挥;鲍俊萍 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种GMR或TMR磁性纳米多层薄膜结构、磁敏传感器及制备方法，该磁性纳米多层薄膜结构依次包括基片和其上的缓冲层，参考磁性层、中间层、探测磁性层和覆盖层，其中所述参考磁性层利用了铁磁层/非磁层界面诱导的垂直各向异性，通过调节参考磁性层中铁磁层厚度使得其易磁化方向为面内，设为XY方向，或垂直膜面，设为Z方向。本发明利用铁磁层/非磁层界面诱导的垂直各向异性调制参考磁性层的磁各向异性，在铁磁层较薄处获得易磁化轴垂直膜面的参考层，在铁磁层较厚处获得易磁化轴在面内的参考层，再利用钉扎结构及诱导磁场生长实现参考磁性层和探测磁性层磁各向异性在三维空间的调制，其磁敏探测器集成度高、工艺简单，热稳定性和一致性好。 | ||
| 搜索关键词： | 各向异性 调制 磁性 薄膜 结构 传感器 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种磁各向异性在三维空间可调制的GMR或TMR磁性纳米多层薄膜结构，依次包括：基片和其上的缓冲层，参考磁性层、中间层、探测磁性层和覆盖层；其特征在于，所述参考磁性层利用了铁磁层/非磁层界面诱导的垂直各向异性，通过调节参考磁性层中铁磁层厚度使得其易磁化方向为面内，设为XY方向，或垂直膜面，设为Z方向。
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