[发明专利]电源复位电路无效
| 申请号： | 201110143856.0 | 申请日： | 2011-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN102811040A | 公开（公告）日： | 2012-12-05 |
| 发明（设计）人： | 侯全才 | 申请（专利权）人： | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/22 | 分类号： | H03K17/22 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种电源复位电路，包括相互串联的第一限流电阻及电容、相互串联的施密特触发器、反相器及N沟道金属氧化层半导体场效晶体管，该第一限流电阻的另一端连接至电源，该施密特触发器的输入端电性连接至所述第一限流电阻及电容之间，该反相器的输出端输出一复位信号，该N沟道金属氧化层半导体场效晶体管包括漏极、源极及栅极，该漏极电性连接至所述第一限流电阻，该源极电性连接至所述电容与施密特触发器之间，该栅极短接至所述源极，所述N沟道金属氧化层半导体场效晶体管用于加快所述电容的放电速度。所述电源复位电路可有效避免电源的不稳定对所述复位信号的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 电源 复位 电路 | ||
【主权项】：
一种电源复位电路，包括相互串联的第一限流电阻及电容、相互串联的施密特触发器及反相器，该第一限流电阻的另一端连接至电源，该施密特触发器的输入端电性连接至所述第一限流电阻及电容之间，该反相器的输出端输出一复位信号，其特征在于：所述电源复位电路还包括N沟道金属氧化层半导体场效晶体管，该N沟道金属氧化层半导体场效晶体管包括漏极、源极及栅极，该漏极电性连接至所述第一限流电阻，该源极电性连接至所述电容与施密特触发器之间，该栅极短接至所述源极，所述N沟道金属氧化层半导体场效晶体管用于加快所述电容的放电速度。
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