[发明专利]自适应新型内存匹配数据选通脉冲的方法无效

专利信息
申请号: 201110143881.9 申请日: 2011-05-31
公开(公告)号: CN102298974A 公开(公告)日: 2011-12-28
发明(设计)人: 史青 申请(专利权)人: 四川长虹电器股份有限公司
主分类号: G11C29/52 分类号: G11C29/52
代理公司: 成都虹桥专利事务所 51124 代理人: 李顺德
地址: 621000 四*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明涉及数据存储技术。本发明解决了现有同一系统在不同温度环境下应用新型内存和/或应用不同厂家的新型内存时易使系统出现内存溢出而崩溃的问题,提供了一种自适应新型内存匹配数据选通脉冲的方法,其技术方案可概括为:每次初始化时检测各个DDR SDRAM的高位、低位的DQS/DQ phase点得到有效点,再选取其中间值预设给环境参数。本发明的有益效果是,稳定运行,适用于使用DDR2 SDRAM和/或DDR3 SDRAM的系统。
搜索关键词: 自适应 新型 内存 匹配 数据 脉冲 方法
【主权项】:
自适应新型内存匹配数据选通脉冲的方法,其特征在于,包括以下步骤:a.系统硬件初始化;b.系统初始化DDR SDRAM时分别检测各个DDR SDRAM的高位、低位的DQS/DQ phase点并统计各个DDR SDRAM的高位、低位的DQS/DQ phase有效点;c.系统根据统计的各个DDR SDRAM的高位、低位的DQS/DQ phase有效点选择其中间值;d.系统将选择的各中间值分别预设给环境参数;e.环境参数读入各DDR SDRAM;f.系统调用Boot Loader开启工作。
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