[发明专利]制造超结半导体器件的方法

摘要

本发明涉及一种制造超结半导体器件的方法。在半导体芯片部分(4)之间的划线(5)上一并形成对准标记组(11到15)，每个对准标记组由包括平行线性平面图案的沟槽形成且用于多个外延层生长循环中的任一循环，将每个对准标记组中的沟槽之间的台面区域宽度设定为在每个外延层生长循环结束时的外延层设计总厚度的四分之一或更长，上述台面区域宽度由彼此面对且在对准标记(11到15)中画出的单箭头之间的距离来示出。根据本发明的制造超结半导体器件的方法有助于：即使外延层生长速率较高，也可通过较少的附加步骤，将因从下外延层中的对准标记转印成上外延层中的对准标记时所产生的形状改变抑制得较小以足以检测出所转印的对准标记。

主权项

一种制造超结半导体器件的方法，其特征在于，该方法包括下述步骤：(a)在包括与(001)面一致的主面的半导体衬底上形成对准标记，该对准标记包括具有与衬底主面垂直的侧壁的沟槽；(b)在所述半导体衬底上生长外延层；(c)使用转印到所述外延层的表面的所述对准标记来形成抗蚀剂图案；(d)注入p型离子和n型离子；(e)多次重复包括步骤(b)到(d)的循环；(f)进行热处理，用于形成包含p型列和n型列的交替导电型层，所述p型列和所述n型列都与所述衬底主面垂直地延伸，并且在与所述衬底主面平行的方向上交替重复地排列，使得所述p型列和所述n型列彼此邻接，所述步骤(a)包括：利用包含平行的线性平面图案的沟槽结构来提供所述对准标记，在不同部位一并形成在多次所述循环中使用的所述对准标记，将每个循环中用于所述对准标记的所述沟槽结构中的相邻沟槽间的台面区域宽度设定成为所述每个循环中所述步骤(b)结束时的外延层的设计总厚度的四分之一或更大。