[发明专利]晶圆承载盘与化学气相沉积机台无效
申请号: | 201110144025.5 | 申请日: | 2011-05-31 |
公开(公告)号: | CN102691052A | 公开(公告)日: | 2012-09-26 |
发明(设计)人: | 陈威呈;李宗霖;汪信全 | 申请(专利权)人: | 奇力光电科技股份有限公司;佛山市奇明光电有限公司 |
主分类号: | C23C16/458 | 分类号: | C23C16/458 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 彭久云 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明公开一种晶圆承载盘与化学气相沉积机台。该化学气相沉积机台包括反应腔室、承载盘、加热器以及供气系统。承载盘设于反应腔室中,且可绕旋转轴旋转,其中此承载盘的上表面适用以承载多个晶圆,且此承载盘的下表面的中央区域中设有第一凹陷部。加热器位于承载盘的下方,用以加热承载盘上的晶圆。供气系统用以将反应气体导入反应腔室中。 | ||
搜索关键词: | 承载 化学 沉积 机台 | ||
【主权项】:
一种化学气相沉积机台,包括:反应腔室;承载盘,设于该反应腔室中,且可绕旋转轴旋转,其中该承载盘的上表面适用以承载多个晶圆,且该承载盘的下表面的中央区域中设有第一凹陷部;加热器,位于该承载盘的下方,用以加热该承载盘上的所述多个晶圆;以及供气系统,用以将反应气体导入该反应腔室中。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
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C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的