[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201110144189.8 | 申请日： | 2009-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN102214680A | 公开（公告）日： | 2011-10-12 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;坂田淳一郎;小山润 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/12;H01L27/12;G09G3/32 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 李玲 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 半导体器件及其制造方法。提供了一种包括薄膜晶体管的半导体器件，该薄膜晶体管具有氧化物半导体层和优秀的电特性。此外，提供了一种用于制造半导体器件的方法，其中在一个衬底上形成多种类型的不同结构的薄膜晶体管以形成多种类型的电路，而且其中没有显著增加步骤数量。在绝缘表面上形成金属薄膜之后，在该金属薄膜上形成氧化物半导体层。然后，执行诸如热处理之类的氧化处理以部分或全部地氧化该金属薄膜。此外，在诸如逻辑电路之类强调操作速度的电路与矩阵电路之间，薄膜晶体管的结构不同。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种有源矩阵显示器件，包括：衬底；在所述衬底上的晶体管，所述晶体管包括：栅电极；在所述栅电极上的栅绝缘层；和在所述栅电极上的具有沟道形成区的氧化物半导体层，所述栅绝缘层插入在所述栅电极与所述氧化物半导体层之间，所述氧化物半导体层包括In‑Sn‑Zn‑O基半导体；在所述氧化物半导体层上的包括氧化铝的绝缘层；与所述氧化物半导体层电接触的像素电极；以及在所述像素电极上的发光层。
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