[发明专利]半导体芯片、发光器件和制造半导体芯片的方法有效
| 申请号： | 201110144449.1 | 申请日： | 2011-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN102263172A | 公开（公告）日： | 2011-11-30 |
| 发明（设计）人： | 金泽 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/18 | 分类号： | H01L33/18;H01L27/15;H01L33/00;B82Y20/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 屈玉华 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体芯片、发光器件和制造半导体芯片的方法，该半导体芯片包括至少一个第一区域和至少一个第二区域。该至少一个第一区域被配置成发射具有至少第一波长的光。该至少一个第二区域被配置成发射具有至少第二波长的光，第二波长与第一波长不同。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 芯片 发光 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体芯片，包括：至少一个第一区域，配置成发射具有至少第一波长的光，所述至少一个第一区域包括多个第一发光结构，该多个第一发光结构布置成所述多个第一发光结构中相邻的第一发光结构的基底之间具有第一间隙；以及至少一个第二区域，具有平坦表面和多个第二发光结构两者之一，所述平坦表面垂直于所述多个第一发光结构的突起方向，所述多个第二发光结构彼此相邻地布置，所述至少一个第二区域被配置成发射具有至少第二波长的光，所述第二波长与所述第一波长不同。
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