[发明专利]存储装置有效
| 申请号： | 201110144813.4 | 申请日： | 2011-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN102298961A | 公开（公告）日： | 2011-12-28 |
| 发明（设计）人： | 肥后丰;细见政功;大森广之;别所和宏;山根一阳;内田裕行 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | G11C11/15 | 分类号： | G11C11/15 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 武玉琴;陈桂香 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于自旋转矩磁化反转将信息存储在存储元件中的存储装置。所述存储装置包括存储元件，所述存储元件包括：存储层，其用于根据磁性材料的磁化状态保存信息；固定磁化层，其隔着非磁性层设置在所述存储层上，所述固定磁化层的磁化方向固定在与膜表面平行的方向上；和磁性层，其隔着非磁性层设置在所述存储层的与所述固定磁化层相对的一侧上，所述磁性层的磁化方向垂直于所述膜方向。所述存储装置还包括布线，通过所述布线使电流在所述存储元件的各层的层叠方向上流经所述存储元件。所述存储装置具有写入操作的高可靠性且能够进行高速操作。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 装置 | ||
【主权项】：
一种存储装置，其包括：存储元件，其包括：存储层，其用于根据磁性材料的磁化状态保存信息，固定磁化层，其隔着非磁性层设置在所述存储层上，所述固定磁化层的磁化方向固定成与膜表面平行的方向，和磁性层，其隔着非磁性层设置在所述存储层的与所述固定磁化层相对的一侧上，所述磁性层的磁化方向是垂直于所述膜表面的方向；以及布线，通过所述布线使电流在所述存储元件的各层的层叠方向上流经所述存储元件。
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