[发明专利]一种Cu掺杂TiO2耦合型半导体光催化剂及制备方法和应用无效
| 申请号： | 201110145001.1 | 申请日： | 2011-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN102274729A | 公开（公告）日： | 2011-12-14 |
| 发明（设计）人： | 李硕 | 申请（专利权）人： | 烟台大学 |
| 主分类号： | B01J23/843 | 分类号： | B01J23/843;B01D53/86;B01D53/44 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 264005 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明公开了属于催化剂范畴的一种Cu掺杂TiO2耦合型半导体光催化剂Cu-TiO2/ZnBi12O20，并用于气相有机污染物的催化转化。与纯TiO2相比，该催化剂不仅光谱响应范围拓展到了可见光区，而且量子效率、催化活性得到了较大提高。这是因ZnBi12O20的带隙较窄，具有可见光活性；而TiO2掺Cu形成Cu-TiO2后，既窄化了带隙、使之具有了可见光响应能力，又调变了能级位置，与ZnBi12O20耦合，二者能级匹配，从而使光生载流子有效分离，量子效率、催化活性得到了较大提高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 cu 掺杂 tio sub 耦合 半导体 光催化剂 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
一种Cu掺杂TiO2耦合型半导体光催化剂Cu‑TiO2/ZnBi12O20，其特征在于：所述的耦合型半导体光催化剂中的两种半导体，一种为Cu掺杂TiO2(Cu‑TiO2)，另一种为ZnBi12O20。
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