[发明专利]催化离子转运膜系统的制造有效
| 申请号： | 201110145111.8 | 申请日： | 2011-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN102335630A | 公开（公告）日： | 2012-02-01 |
| 发明（设计）人： | M·F·卡罗兰;C·L·基比 | 申请（专利权）人： | 气体产品与化学公司 |
| 主分类号： | B01J35/02 | 分类号： | B01J35/02;B01J23/89 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 吴亦华;徐志明 |
| 地址： | 美国宾夕*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及制造催化离子转运膜(ITM)的方法。在一个实施方式中，未催化的ITM(a)与非还原性气流接触同时加热至足够的温度并持续足够时间以提供具有阴离子流动性的ITM；(b)与还原性气流接触足以提供具有阴离子流动性和基本上恒定的氧化学计量的ITM的一段时间；(c)在使ITM与还原性气流接触的同时冷却以提供具有基本上恒定的氧化学计量且没有阴离子流动性的ITM；和(d)通过向(1)与混合导电多成分金属氧化物(MCMO)层的致密层的第一侧邻接的多孔MCMO层和(2)致密MCMO层的第二侧中的至少一个施用催化剂来处理。在另一个实施方式中，这些步骤以(a)、(d)、(b)和(c)的替代顺序进行。 | ||
| 搜索关键词： | 催化 离子 转运 系统 制造 | ||
【主权项】：
一种制造催化的离子转运膜的方法，包括：(a)提供包含具有第一侧、第二侧的致密混合导电多成分金属氧化物层和与第一侧邻接的多孔混合导电多成分金属氧化物层的离子转运膜；(b)将所述离子转运膜与具有第一氧分压的非还原性气流接触，同时加热所述离子转运膜至足够的温度并持续足够的时间以提供具有阴离子流动性的离子转运膜；(c)将所述具有阴离子流动性的离子转运膜与具有比第一氧分压低的第二氧分压的第一还原性气流接触足以提供具有阴离子流动性和基本上恒定的氧化学计量的离子转运膜的一段时间；(d)冷却所述具有阴离子流动性和基本上恒定的氧化学计量的离子转运膜，同时将该膜与第一还原性气流接触，以提供具有基本上恒定的氧化学计量且没有阴离子流动性的离子转运膜；和(e)向所述具有基本上恒定的氧化学计量且没有阴离子流动性的离子转运膜的致密混合导电多成分金属氧化物层的第二侧和多孔混合导电多成分金属氧化物层中至少一个施用催化剂，从而提供催化的离子转运膜。
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