[发明专利]基于半导体的超材料制备方法和基于半导体的超材料有效
| 申请号： | 201110145760.8 | 申请日： | 2011-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN102800971A | 公开（公告）日： | 2012-11-28 |
| 发明（设计）人： | 刘若鹏;赵治亚;缪锡根;杨宗荣 | 申请（专利权）人： | 深圳光启高等理工研究院;深圳光启创新技术有限公司 |
| 主分类号： | H01Q15/00 | 分类号： | H01Q15/00;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种基于半导体的超材料制备方法，该方法包括：在衬底上形成半导体层；在所述半导体层上涂覆一层光刻胶；以具有预设微结构阵列的模板作为掩膜板对所述光刻胶进行光刻；根据预设电磁参数，在半导体层中掺入杂质；去除涂覆在所述半导体层上的光刻胶，获得超材料。本发明实施例还提供了一种基于半导体的超材料。以得到微结构可控性能更高、也更符合设计要求的超材料。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 半导体 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种基于半导体的超材料制备方法，其特征在于，所述方法包括：在衬底上形成半导体层；在所述半导体层上涂覆一层光刻胶；以具有预设微结构阵列的模板作为掩膜板对所述光刻胶进行光刻；根据预设电磁参数，在半导体层中掺入杂质；去除涂覆在所述半导体层上的光刻胶，获得超材料。
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