[发明专利]同时驱入镍和调整阈值电压的多晶硅薄膜晶体管的制法无效
| 申请号： | 201110145949.7 | 申请日： | 2011-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN102810479A | 公开（公告）日： | 2012-12-05 |
| 发明（设计）人： | 赵淑云;郭海成;凌代年;邱成峰;贾洪亮;黄飚;黄宇华;史亮亮;张峰 | 申请（专利权）人： | 广东中显科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/265 |
| 代理公司： | 北京瑞恒信达知识产权代理事务所(普通合伙) 11382 | 代理人： | 曹津燕 |
| 地址： | 528225 广东省佛山*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请提供一种金属诱导晶化多晶硅薄膜晶体管的制造方法，包括：步骤10)、在衬底上通过低压化学气象沉积来沉积45nm的a-Si有源层，沉积100nm厚的低温氧化物；步骤20)、随后将低温氧化物层蚀刻，形成多个诱发线，溅射Ni沉积到表面上；步骤30)、在镍溅射之后进行硼注入。 | ||
| 搜索关键词： | 同时 驱入镍 调整 阈值 电压 多晶 薄膜晶体管 制法 | ||
【主权项】：
一种金属诱导晶化多晶硅薄膜晶体管的制造方法，包括：步骤10)、在衬底上通过低压化学气象沉积来沉积45nm的a‑Si有源层，沉积100nm厚的低温氧化物；步骤20)、随后将低温氧化物层蚀刻，形成多个诱发线，溅射Ni沉积到表面上；步骤30)、在镍溅射之后进行硼注入。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
