[发明专利]SiC衬底的减薄方法无效
| 申请号： | 201110146097.3 | 申请日： | 2011-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN102214568A | 公开（公告）日： | 2011-10-12 |
| 发明（设计）人： | 魏珂;黄俊;刘果果;李诚瞻;刘新宇 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/30;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京市德权律师事务所 11302 | 代理人： | 王建国 |
| 地址： | 100029 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种SiC衬底的减薄方法，其包括匀光刻胶，保护表面制备完成的基于SiC衬底的AlGaN/GaNHEMT器件；将所述器件背面向上，将器件用蜡粘贴在托片上；将粘贴在所述托片上的器件放进ICP刻蚀机腔体进行刻蚀。根据本发明提供的SiC衬底的减薄方法，可以有效缩短SiC衬底的减薄时间，提高工作效率，减少减薄时间。另外，由于整个衬底减薄过程中没有机械剪切力，器件的性能不会有明显的降低。 | ||
| 搜索关键词： | sic 衬底 方法 | ||
【主权项】：
一种SiC衬底的减薄方法，其特征在于，包括：匀光刻胶，保护表面制备完成的基于SiC衬底的AlGaN/GaN HEMT 器件；将所述器件背面向上，将器件用蜡粘贴在托片上；将粘贴在所述托片上的器件放进ICP刻蚀机腔体进行刻蚀。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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