[发明专利]一种绒面黑硅材料的制备方法有效
| 申请号： | 201110146276.7 | 申请日： | 2011-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN102400227A | 公开（公告）日： | 2012-04-04 |
| 发明（设计）人： | 刘若鹏;赵治亚;缪锡根;张贤高 | 申请（专利权）人： | 深圳光启创新技术有限公司 |
| 主分类号： | C30B33/12 | 分类号： | C30B33/12 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518034 广东省深圳市福田*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种绒面黑硅材料的制备方法，包括粗糙工艺步骤和之后的黑硅层制备步骤，所述粗糙工艺步骤包括以下步骤：将聚苯乙烯颗粒小球分散在水中，在水面上形成单层小球膜；通过捞膜的方法将所述单层小球膜附着于硅片上；对附着有单层聚苯乙烯小球膜的硅片表面进行反应离子刻蚀，使在硅片上形成周期性的微结构。根据本发明的制备方法，可以在硅衬底上得到绒面结构的黑硅材料，可以广泛应用于太阳能电池及光电效应器件的制备。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 绒面黑硅 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种绒面黑硅材料的制备方法，包括粗糙工艺步骤和之后的黑硅层制备步骤，其特征在于，所述粗糙工艺步骤包括以下步骤：将聚苯乙烯小球颗粒分散在水中，在水面形成单层聚苯乙烯小球膜；通过捞膜的方法将所述单层聚苯乙烯小球膜附着于硅片上；对附着有单层聚苯乙烯小球膜的硅片表面进行反应离子刻蚀，在硅片上形成周期性的微结构。
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