[发明专利]一种49U/S石英晶片倒边工艺无效
| 申请号： | 201110146524.8 | 申请日： | 2011-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN102335855A | 公开（公告）日： | 2012-02-01 |
| 发明（设计）人： | 张杰 | 申请（专利权）人： | 湖北东光电子股份有限公司 |
| 主分类号： | B24B9/06 | 分类号： | B24B9/06 |
| 代理公司： | 荆门市首创专利事务所 42107 | 代理人： | 裴作平 |
| 地址： | 448124 湖北省荆*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种49U/S石英晶片倒边工艺,其工艺为:将49U/S石英晶片放入直径80-90mm、长度350mm的直筒内，将倒边研磨液也放入直筒内，再将直筒放在石英晶片倒边机上，上转速控制在90-100转/分钟，砂号采用GC800#-1000#，环境湿度40％-45％、环境温度25℃±2℃，倒边研磨液由碳化硅、水和防锈剂组成，其重量份配比为：水1000 碳化硅20-30 防锈剂8-12。本发明的优点是：提高了49U/S小公差晶片温度特性的一致性，提高了生产效率，可用于8MHz-10MHz小公差晶片的倒边加工。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 49 石英 晶片 工艺 | ||
【主权项】：
一种49U/S石英晶片倒边工艺，其特征在于其工艺为：将49U/S石英晶片放入直径80‑90mm、长度350mm的直筒内，将倒边研磨液也放入直筒内，再将直筒放在石英晶片倒边机上，上转速控制在90‑100转/分钟，环境湿度40％‑45％、环境温度25℃±2℃，倒边研磨液由碳化硅、水和防锈剂组成，其重量份配比为：水1000 碳化硅20‑30 防锈剂8‑12。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于湖北东光电子股份有限公司，未经湖北东光电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110146524.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：存储控制装置以及虚拟卷的控制方法
- 下一篇：多模双待终端进行通讯的方法及装置
