[发明专利]凸块工艺及其结构有效
申请号: | 201110146922.X | 申请日: | 2011-05-25 |
公开(公告)号: | CN102800599A | 公开(公告)日: | 2012-11-28 |
发明(设计)人: | 何荣华;郭志明;庄坤树 | 申请(专利权)人: | 颀邦科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L23/488;H01L23/00 |
代理公司: | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人: | 寿宁;张华辉 |
地址: | 中国台湾新竹科学*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明是有关于一种凸块工艺,其包含一基板;形成一含铜金属层;形成一光阻层;图案化该光阻层以形成多个开口;形成多个铜凸块在该些开口内,各该铜凸块具有一第一顶面;形成一包含有一镍层及一接合层的导接层,该导接层具有一第二顶面;移除该光阻层;形成一凸块下金属层,其中各该凸块下金属层具有一第一外周壁,各该铜凸块具有一第二外周壁,该导接层及该基板的第一保护层之间具有一容置空间,该容置空间环绕该第一外周壁及该第二外周壁,且该容置空间具有一第一容置部及一对第二容置部;形成一第二保护层;及移除部分该第二保护层,使位于该第一容置部的该第二保护层形成一第一保护环及使位于该第二容置部的该第二保护层形成一第二保护环。 | ||
搜索关键词: | 工艺 及其 结构 | ||
【主权项】:
一种凸块工艺,其特征在于至少包含:提供一基板,该基板具有一表面、多个焊垫及一第一保护层,该些焊垫设置于该表面,该第一保护层形成于该表面并显露该些焊垫;形成一含铜金属层与些焊垫及该第一保护层,该含铜金属层具有多个第一区及多个第二区;形成一光阻层与该含铜金属层;图案化该光阻层以形成多个开口,该些开口对应该些第一区;形成多个铜凸块在该些开口内,各该铜凸块覆盖该含铜金属层的各该第一区且各该铜凸块具有一第一顶面;形成一导接层与该些铜凸块的该些第一顶面,该导接层具有一第二顶面且该导接层包含有一镍层及一接合层,该镍层位于该铜凸块与该接合层之间;移除该光阻层;移除该含铜金属层的该些第二区以显露出该第一保护层,并使该含铜金属层的各该第一区形成一凸块下金属层,其中各该凸块下金属层具有一第一外周壁,各该铜凸块具有一第二外周壁,该导接层具有一第三外周壁,该第三外周壁与该第二外周壁之间具有一第一间距,该第三外周壁与该第一外周壁之间具有一第二间距且该导接层及该第一保护层之间具有一容置空间,该容置空间环绕该第一外周壁及该第二外周壁,且该容置空间具有一对应于该第一外周壁的第一容置部及一对应于该第二外周壁的第二容置部;形成一第二保护层与该导接层的该第二顶面、该些凸块下金属层的该些第一外周壁、该些铜凸块的该些第二外周壁、该导接层的该第三外周壁、该第一保护层、该第一容置部及该第二容置部;以及移除位于该导接层的该第二顶面、该导接层的该第三外周壁及该第一保护层的该第二保护层,以使位于该第一容置部的该第二保护层形成一第一保护环及使位于该第二容置部的该第二保护层形成一第二保护环。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于颀邦科技股份有限公司,未经颀邦科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201110146922.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造