[发明专利]互补金属氧化物半导体技术中的线性图像传感器无效
| 申请号： | 201110147086.7 | 申请日： | 2011-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN102271227A | 公开（公告）日： | 2011-12-07 |
| 发明（设计）人： | 贝诺伊特.吉法德;伊万.卡佐克斯 | 申请（专利权）人： | 原子能和代替能源委员会 |
| 主分类号： | H04N5/353 | 分类号： | H04N5/353 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 张泓 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 互补金属氧化物半导体技术中的线性图像传感器。一种时间延迟积分图像传感器，包括按行和列组织的像素(Px)的阵列。每个像素包括：第一光敏元件(D1)；存储节点(A、C2)；以及第一转移元件(TGM)，连接在该第一光敏元件(D1)和该存储节点(A)之间。每个像素(Px)还包括：第二光敏元件(D1′)；第二转移元件(TGH)，连接在该第二光敏元件(D1′)和该存储节点(A)之间；以及第三转移元件(TGB)，连接在该存储节点(A)和该列的相邻像素的第二光敏元件(D1′)之间。控制电路(15)被配置为同时地将该第一和第二转移元件(TGM、TGH)命令为导通状态并且将该第三转移元件(TGB)命令为截止状态，并且在不同阶段中，配置为同时地将该第一和第三转移元件(TGM、TGB)命令为导通状态并且将该第二转移元件(TGH)命令为截止状态。 | ||
| 搜索关键词： | 互补 金属 氧化物 半导体 技术 中的 线性 图像传感器 | ||
【主权项】：
一种时间延迟积分图像传感器，包括按行和列组织的像素(Px)的阵列(10′)，每个像素包括：‑第一光敏元件(D1)；‑存储节点(A、C2)；‑第一转移元件(TGM)，连接在该第一光敏元件(D1)和该存储节点(A)之间；其特征在于，每个像素(Px)包括：‑第二光敏元件(D1′)；‑第二转移元件(TGH)，连接在该第二光敏元件(D1′)和该存储节点(A)之间；‑第三转移元件(TGB)，连接在该存储节点(A)和该列的相邻像素的第二光敏元件(D1′)之间，并且其特征在于，该图像传感器包括：控制电路(15)，被配置为同时地将该第一和第二转移元件(TGM、TGH)命令为导通状态并且将该第三转移元件(TGB)命令为截止状态，并且在不同阶段中，配置为同时地将该第一和第三转移元件(TGM、TGB)命令为导通状态并且将该第二转移元件(TGH)命令为截止状态。
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