[发明专利]两个连接配对件低温压力烧结连接的方法及其制造的系统有效
申请号: | 201110147129.1 | 申请日: | 2011-05-27 |
公开(公告)号: | CN102315138A | 公开(公告)日: | 2012-01-11 |
发明(设计)人: | 约瑟夫·菲尔藤巴赫尔;卡尔海因茨·奥古斯丁;乌尔里希·扎格鲍姆;克里斯蒂安·约布尔;汤姆斯·施托克迈尔 | 申请(专利权)人: | 赛米控电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L23/492 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 车文;樊卫民 |
地址: | 德国*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | 一种两个连接配对件低温压力烧结连接的方法及其制造的系统。系统具有第一连接配对件和第二连接配对件,连接配对件借助低温压力烧结连接彼此材料配合地借助烧结金属层相连接。方法步骤是:准备具有第一接触面的第一连接配对件。将由如下的烧结膏构成的层涂覆到第一接触面上,烧结膏由烧结金属颗粒和溶剂构成。对烧结膏加温,并且在形成烧结层的情况下排出溶剂。将液体涂覆在烧结层上。布置第二连接配对件。将粘附剂布置在烧结层及第二连接配对件的边缘区域中,粘附剂与第一连接配对件相接触,用以使连接配对件彼此固定。进一步对系统加温和加压,用以构造连接配对件之间的材料配合的低温压力烧结连接,烧结层转变为均质的烧结金属层。 | ||
搜索关键词: | 两个 连接 配对 低温 压力 烧结 方法 及其 制造 系统 | ||
【主权项】:
用于制造具有第一连接配对件(10)和第二连接配对件(50)的系统的方法,所述第一连接配对件(10)和所述第二连接配对件(50)借助低温压力烧结连接而相互材料配合地连接,其中,所述连接配对件(10、50)各自具有要与相应另外那个连接配对件相连接的接触面(16、56),其中,在所述接触面(16、56)之间布置有烧结金属层(34),其特征在于以下顺次进行的步骤,其中,步骤d)和f)能够依次实施或者选择性地实施:a)准备具有第一接触面(16)的第一连接配对件(10);b)将由如下烧结膏(40)构成的层涂覆到所述第一接触面(16)上,所述烧结膏由烧结金属颗粒和溶剂构成;c)对所述烧结膏(30)加温(22),并且在形成烧结层(32)的情况下,排出溶剂;d)将液体(40)涂覆在所述烧结层(32)上;e)以如下方式布置所述第二连接配对件(50),即,所述第二连接配对件(50)的第二接触面(56)放置于所述烧结层(32)上;f)将粘附剂(60、62)布置在所述烧结层(32)及所述第二连接配对件(50)的边缘区域中,同时,所述粘附剂(60、62)与所述第一连接配对件(10)相接触,用以使所述连接配对件(10、50)彼此固定;g)进一步对所述系统加温和加压,用以构造在所述连接配对件(10、50)之间的材料配合的低温压力烧结连接,其中,所述烧结层(32)转变为均质的烧结金属层(34)。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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