[发明专利]实现大功率横向低发散角的半导体激光器结构有效
| 申请号： | 201110147409.2 | 申请日： | 2011-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN102255240A | 公开（公告）日： | 2011-11-23 |
| 发明（设计）人： | 郑婉华;陈微;张建心;渠红伟;付非亚 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01S5/042 | 分类号： | H01S5/042;H01S5/323 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种实现大功率横向低发散角的半导体激光器结构，包括：一砷化镓衬底；一光子晶体区域，该光子晶体区域制作在砷化镓衬底上，用来实现基模的大面积振荡；一过渡层，该过渡层制作在光子晶体区域上；一上限制层，该上限制层制作在过渡层上，用来限制光场向上的泄露；一接触层，该接触层制作在上限制层上，用来与金属形成上电极，这样便形成实现大功率横向低发散角的半导体激光器结构。 | ||
| 搜索关键词： | 实现 大功率 横向 发散 半导体激光器 结构 | ||
【主权项】：
一种实现大功率横向低发散角的半导体激光器结构，包括：一砷化镓衬底；一光子晶体区域，该光子晶体区域制作在砷化镓衬底上，用来实现基模的大面积振荡；一过渡层，该过渡层制作在光子晶体区域上；一上限制层，该上限制层制作在过渡层上，用来限制光场向上的泄露；一接触层，该接触层制作在上限制层上，用来与金属形成上电极，这样便形成实现大功率横向低发散角的半导体激光器结构。
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