[发明专利]集成光子晶体相位调制器的耦合波导激光器的制备方法有效
| 申请号： | 201110148041.1 | 申请日： | 2011-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN102299483A | 公开（公告）日： | 2011-12-28 |
| 发明（设计）人： | 郑婉华;陈微;张建心;渠红伟;付非亚 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01S5/323 | 分类号： | H01S5/323;H01S5/20 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种集成光子晶体相位调制器的耦合波导激光器的制备方法，其中每一单元包括如下步骤：步骤1：取一有源砷化镓外延片，该有源砷化镓外延片包括衬底、下限制层、有源层和上限制层；步骤2：在有源砷化镓外延片的上限制层上刻蚀周期性的耦合波导结构；步骤3：在周期性耦合波导结构的表面和衬底的下面分别制备金属电极；步骤4：在耦合波导结构的一侧，制备一光子晶体相位调制器；步骤5：在该光子晶体相位调制器的侧面靠近周期性耦合波导结构的一侧，制备一传输波导，该传输波导为一楔形；步骤6：在该光子晶体相位调制器的表面采用干法刻蚀的方法制备多个空气孔，形成空气孔阵列，完成集成光子晶体相位调制器的耦合波导激光器的制备方法。 | ||
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【主权项】：
一种集成光子晶体相位调制器的耦合波导激光器的制备方法，其中每一单元包括如下步骤：步骤1：取一有源砷化镓外延片，该有源砷化镓外延片包括衬底、下限制层、有源层和上限制层；步骤2：在有源砷化镓外延片的上限制层上刻蚀周期性的耦合波导结构；步骤3：在周期性耦合波导结构的表面和衬底的下面分别制备金属电极；步骤4：在耦合波导结构的一侧，制备一光子晶体相位调制器；步骤5：在该光子晶体相位调制器的侧面靠近周期性耦合波导结构的一侧，制备一传输波导，该传输波导为一楔形；步骤6：在该光子晶体相位调制器的表面采用干法刻蚀的方法制备多个空气孔，形成空气孔阵列，完成集成光子晶体相位调制器的耦合波导激光器的制备方法。
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