[发明专利]具有适配热导体的等离子体处理室部件有效
| 申请号： | 201110148699.2 | 申请日： | 2011-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN102270561A | 公开（公告）日： | 2011-12-07 |
| 发明（设计）人： | 汤姆·史蒂文森;迈克尔·狄更斯 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 周文强;李献忠 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种组件，其包含等离子体处理室的部件、热源以及夹于所述部件和所述热源之间的聚合物复合材料，所述聚合物复合材料在高热导率相和低热导率相之间出现相变。所述温度诱导相变聚合物可以用于在多步等离子体蚀刻工艺中保持所述部件温度处于高或低温。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 适配热 导体 等离子体 处理 部件 | ||
【主权项】：
一种组件，其包含等离子体处理室的部件、热源以及夹于所述部件和所述热源之间的聚合物复合材料，所述部件有温度控制表面，其中：所述聚合物复合材料在高热导率相和低热导率相之间出现温度诱导相变。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
