[发明专利]一种镁热还原制备多孔硅的方法有效
| 申请号： | 201110149645.8 | 申请日： | 2011-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN102259858A | 公开（公告）日： | 2011-11-30 |
| 发明（设计）人： | 包志豪;陈珂 | 申请（专利权）人： | 同济大学 |
| 主分类号： | C01B33/023 | 分类号： | C01B33/023 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 张磊 |
| 地址： | 200092 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于多孔硅材料的合成领域，具体涉及一种镁热还原制备多孔硅的方法。该方法以硅的氧化物SiOx（x=0.5-2）为原料，通过镁热还原反应生成硅和氧化镁的混合物，再使用酸选择性溶解掉氧化镁，最终获得自支撑的多孔硅材料。本发明提供的方法相对于以往传统的电化学阳极腐蚀方法，避免使用价格昂贵的单晶硅片，而采用简单易得且成本较低的硅氧化物作为原料，既降低了成本又提高了产量，且制备工艺简单、环境友好、制备效率高、重复性好，更适合工业化生产，有望在锂离子二次电池、光电材料、生物医药和气敏器件等领域广泛应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 还原 制备 多孔 方法 | ||
【主权项】：
一种镁热还原制备多孔硅的方法，其特征在于具体步骤如下：（1）室温下将硅的氧化物SiOx粉末与金属镁源按摩尔比1：(0.5 3)在惰性气氛保护下以不同方式处理后置入管式气氛炉中，加热至450 900℃，并恒温反应0.5 12小时，然后降至室温；SiOx中x为0.5 2；（2）将步骤（1）所得产物置于浓度为0.1 6.0 mol/L的酸溶液中充分浸泡0.5 24小时，除去氧化镁，过滤后得到固体产物，然后先经去离子水充分清洗，再经有机溶剂充分清洗，干燥后获得多孔硅材料。
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