[发明专利]LED的形成方法无效
| 申请号： | 201110149739.5 | 申请日： | 2011-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN102231414A | 公开（公告）日： | 2011-11-02 |
| 发明（设计）人： | 李园;赵东晶 | 申请（专利权）人： | 王楚雯;赵东晶 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L21/78 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 张大威 |
| 地址： | 100084 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种LED的形成方法，包括以下步骤：提供Si衬底；在Si衬底之上形成多个凸起结构，所述每两个凸起结构之间具有一定间隙；形成覆盖多个凸起结构的第一半导体薄层，且第一半导体薄层与所述多个凸起结构的顶部相连；和在所述第一半导体薄层之上形成有包括第一类型III-V族化合物材料层、发光层和第二类型III-V族化合物材料层的LED结构。通过多个凸起结构可以有效释放Si晶圆和氮化物系化合物半导体材料层之间的热失配应力，从而有利于形成大尺寸的外延片。 | ||
| 搜索关键词： | led 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种LED的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：提供Si衬底；在所述Si衬底之上形成多个凸起结构，所述每两个凸起结构之间具有一定间隙；形成覆盖所述多个凸起结构的第一半导体薄层，且所述第一半导体薄层与所述多个凸起结构的顶部相连；和在所述第一半导体薄层之上形成有包括第一类型III‑V族化合物材料层、发光层和第二类型III‑V族化合物材料层的LED结构。
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