[发明专利]一种玻璃衬底p-CuAlO2/n-ZnO:Al透明薄膜异质结的制备方法有效
申请号: | 201110150070.1 | 申请日: | 2011-06-03 |
公开(公告)号: | CN102244010A | 公开(公告)日: | 2011-11-16 |
发明(设计)人: | 王华;刘思佳;许积文;周尚菊;杨玲 | 申请(专利权)人: | 桂林电子科技大学 |
主分类号: | H01L21/36 | 分类号: | H01L21/36;H01L21/02 |
代理公司: | 桂林市华杰专利商标事务所有限责任公司 45112 | 代理人: | 罗玉荣 |
地址: | 541004 广*** | 国省代码: | 广西;45 |
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摘要: | 本发明公开了一种玻璃衬底p-CuAlO2/n-ZnO:Al透明薄膜异质结的制备方法,(1)采用溶胶-凝胶(Sol-Gel)工艺制备p-CAO透明导电薄膜后,再采用超声喷雾热解(USP)工艺制备n-AZO透明导电薄膜;(2)制备p-CAO薄膜时需多次匀胶、分层预热处理;(3)p-CAO薄膜需经退火处理,且退火在氩气气氛下进行;(4)采用USP工艺,在已覆盖CAO薄膜衬底上沉积n-AZO透明导电薄膜;(5)沉积n-AZO透明导电薄膜时衬底需加热,且衬底温度不超过320℃,样品自然冷却即得p-CuAlO2/n-ZnO:Al(p-CAO/n-AZO)透明薄膜异质结。该方法新颖、简单,且能满足大面积成膜工艺要求,其制备的p-CAO/n-AZO异质结为全透明结构并能实现p-n结功能,具有良好的光电性能。 | ||
搜索关键词: | 一种 玻璃 衬底 cualo sub zno al 透明 薄膜 异质结 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种玻璃衬底p‑CuAlO2/n‑ZnO:Al透明薄膜异质结的制备方法,其特征在于:该方法包括如下步骤:(1)选用石英玻璃作为衬底,并对玻璃衬底进行表面处理和清洗;(2)配制CAO溶胶;(3)将配制好的溶胶滴到衬底上,再进行匀胶,制作湿膜;(4)对匀好胶的湿膜进行低温烘干处理,去除湿膜中的碳、氢成分;(5)将烘干处理过的薄膜进行预热处理;(6)重复上述步骤(3)‑(5),根据所需薄膜的厚度确定重复次数,直至获得所需厚度的CAO薄膜;(7)对上述石英玻璃衬底CAO薄膜在常压氩气气氛下进行退火处理,形成p‑CAO薄膜。(8)配制AZO前驱体溶液;(9)将前驱体溶液装入超声波雾化器的雾化罐中;(10)将沉积有p‑CAO薄膜的衬底放置在样品台上,同时用掩模板覆盖在CAO薄膜的一侧,为后续的电极制备作好准备,设定喷口‑衬底距离、衬底温度、沉积反应时间;(11)开启温控仪升温装置使衬底温度升至设定温度,待温度稳定后,开启雾化器的雾化开关,待雾化罐内的气雾稳定后,打开风扇开关,通入空气载气;(12)薄膜的生长反应达到预定沉积反应时间后,关闭雾化器开关和加热装置;(13)样品自然冷却后即可获得p‑CAO/n‑AZO透明薄膜异质结。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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