[发明专利]半导体器件

摘要

本发明的目的在于提供具有减小的尺寸并展现卓越的阻断电压能力的半导体器件。本发明的半导体器件包括有源区10和隔离区30之间的边缘端接结构20，该边缘端接结构20包括正向偏压部40的边缘端接结构和反向偏压部50的边缘端接结构。多个场限制环(FLR)41、51以及多个场板(FP)44、54设置在正向偏压部40的边缘端接结构和反向偏压部的边缘端接结构中。多个FP 44的最靠近反向偏压部50的边缘端接结构的第一正向FP 45形成为朝隔离区30侧延伸。多个FP 54的最靠近正向偏压部40的边缘端接结构的第一反向FP 55形成为朝隔离区10侧延伸。第一反向FP 55在施加正向电压时终止耗尽层从有源区10扩展。第一正向FP 45在施加反向电压时终止耗尽层从隔离区30扩展。

主权项

一种半导体器件，包括：第一导电类型的半导体衬底；隔离区，其包括置于所述半导体衬底侧面并从所述半导体衬底的一个主表面延伸到另一主表面的第二导电类型的隔离层；有源区；边缘端接结构，其置于所述有源区和所述隔离区之间并包围所述有源区，所述边缘端接结构包括置于所述有源区侧的第一边缘端接结构部以及置于所述隔离区侧的第二边缘端接结构部；在所述第一边缘端接结构部和所述第二边缘端接结构部中的所述半导体衬底的前表面区中形成的第二导电类型的多个第一半导体区；以及与所述第一半导体区接触并形成在选择性地在所述半导体衬底的所述前表面上形成的层间介电膜上方的多个导电膜；其中在所述多个导电膜中，在所述第一边缘端接结构部中形成并设置成最靠近所述隔离区侧的第一导电膜比与所述第一导电膜接触的所述第一半导体区进一步朝所述隔离区侧延伸第一长度，所述第一长度为从与所述第一导电膜接触的所述第一半导体区的所述隔离区侧的边缘到所述第一导电膜的所述隔离区侧的边缘的距离；以及在所述多个导电膜中，在所述第二边缘端接结构部中形成并设置成最靠近所述有源区侧的第二导电膜比与所述第二导电膜接触的所述第一半导体区进一步朝所述有源区侧延伸第二长度，所述第二长度为从与所述第二导电膜接触的所述第一半导体区的所述有源区侧的边缘到所述第二导电膜的所述有源区侧的边缘的距离。