[发明专利]一种直流氧化锌压敏电阻片及其制备方法无效

专利信息
申请号: 201110151553.3 申请日: 2011-06-08
公开(公告)号: CN102290176A 公开(公告)日: 2011-12-21
发明(设计)人: 钟庆东;张磊;蒋继波;朱振宇;罗检 申请(专利权)人: 上海大学
主分类号: H01C7/12 分类号: H01C7/12;H01C17/00
代理公司: 上海上大专利事务所(普通合伙) 31205 代理人: 顾勇华
地址: 200444*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明涉及一种直流氧化锌压敏电阻片及其制备方法,属于避雷器用压敏陶瓷材料制造技术领域。其特点在于采用ZnO为主料,辅以纳米Bi2O3、硝酸镍、Co2O3等添加剂,先将纳米Bi2O3、硝酸镍在溶液中制备成包覆型纳米粉体。将配方中主料ZnO以及除纳米Bi2O3、硝酸镍外的其他微量原料混合均匀后烧结,烧结制备的电阻片上下表面涂布事先制备的包覆型Bi2O3粉体的浆体,加热烧结,被覆电极,涂布高阻层,从而制得直流氧化锌电阻片。该方法制备过程中,避免了Bi2O3的挥发、飞溅而造成的配比改变和环境污染,制得的电阻片成分均匀,综合电学性能优异。
搜索关键词: 一种 直流 氧化锌 压敏电阻 及其 制备 方法
【主权项】:
一种直流氧化锌压敏电阻片,其特征在于该电阻片按摩尔百分比计包括有以下各组分:主料ZnO:90 96%,纳米Bi2O3:1.0 3.5%,硝酸镍:0.4 1.5%,SiO2:0.05 0.5%,Co2O3:0.3 1.5%,Al2O3:0.5 2.1%,Cr2O3:0.5 1.5%,MnO2:0.3 0.9%;以上原料中纳米Bi2O3的粉体粒径为40 100nm;其他原料的粉体粒径为1.0 10.0μm。
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