[发明专利]与MOS管集成的垂直型双极结型晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 201110151714.9 | 申请日： | 2011-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN102820332A | 公开（公告）日： | 2012-12-12 |
| 发明（设计）人： | 吴孝嘉;房世林;陈正培;杨育明;黄竹 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/73 | 分类号： | H01L29/73;H01L29/06;H01L21/331;H01L21/22;H01L21/265 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 臧霁晨;高为 |
| 地址： | 214028 中国无锡*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种与MOS管集成的垂直型双极结型晶体管及其制备方法，属于双极结型晶体管（BipolarJunctionTransistor，BJT）技术领域。该垂直型BJT中，其中所述MOS管和所述垂直型BJT形成于衬底的外延层上，所述垂直型BJT包括由上至下依次设置的发射区、基区、集电区以及第一埋层，其中，所述集电区和所述第一埋层通过所述衬底中的初始埋层向外延层扩散而一体化地形成。该垂直型BJT性能好，其制备方法过程简单、制备成本低、工艺周期短。 | ||
| 搜索关键词： | mos 集成 垂直 型双极结型 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种与MOS管集成的垂直型双极结型晶体管，所述MOS管和所述垂直型双极结型晶体管形成于衬底的外延层上，所述垂直型双极结型晶体管包括由上至下依次设置的发射区、基区、集电区以及第一埋层，其特征在于，所述集电区和所述第一埋层通过所述衬底中的初始埋层向外延层扩散而一体化地形成。
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