[发明专利]一种在半导体衬底中制备腔体的方法无效
| 申请号： | 201110151756.2 | 申请日： | 2011-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN102815662A | 公开（公告）日： | 2012-12-12 |
| 发明（设计）人： | 张新伟;夏长奉;范成建;肖建农;苏巍 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 臧霁晨;高为 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种在半导体衬底中制备腔体的方法，属于集成电路制造技术领域。该方法包括步骤：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上各向异性刻蚀形成多个通孔或沟槽；对所述通孔进行各向同性刻蚀以使相邻通孔或相邻沟槽的底部之间相互连通形成腔体槽；以及外延生长外延半导体衬底层以密封形成所述腔体。该方法具有成本低、效率高、腔体之上的半导体衬底层的厚度易于控制的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 衬底 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种在半导体衬底中制备腔体的方法，其特征在于，包括以下步骤：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上各向异性构图刻蚀形成多个通孔或沟槽；对所述通孔进行各向同性刻蚀以使相邻通孔或相邻沟槽的底部之间相互连通形成腔体槽；以及外延生长外延半导体衬底层以密封形成所述腔体。
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