[发明专利]快速热处理中控制晶片温度的方法及其快速热处理方法有效
| 申请号： | 201110151782.5 | 申请日： | 2011-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN102820208A | 公开（公告）日： | 2012-12-12 |
| 发明（设计）人： | 阳厚国;龚榜华 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/324;H01L21/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 李湘;高为 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种快速热处理（RTP）中控制晶片温度的方法及其RTP方法，属于半导体芯片制造技术领域。该控制晶片温度的方法中，根据晶片的背面材料差异，选择相应的控温曲线来控制所述晶片的温度；其中，所述控温曲线通过背面材料不同的试验晶片分别预先试验得到。该RTP方法中使用以上所述的控制晶片温度的方法来实现。该方法可以实现不同半导体制造流程节点处的晶片的RTP温度能精确控制，并且成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 快速 热处理 控制 晶片 温度 方法 及其 | ||
【主权项】：
一种快速热处理中控制晶片温度的方法，其特征在于， 根据晶片的背面材料差异，选择相应的控温曲线来控制所述晶片的温度；其中，所述控温曲线通过背面材料不同的试验晶片分别预先试验得到。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
