[发明专利]一种熔炼坩埚用涂层的制备方法有效

专利信息
申请号: 201110152133.7 申请日: 2011-06-08
公开(公告)号: CN102221293A 公开(公告)日: 2011-10-19
发明(设计)人: 谭毅;张磊;许富民 申请(专利权)人: 大连理工大学
主分类号: F27B14/10 分类号: F27B14/10;C03C17/22;B05D7/24;B05D3/00;B05D3/02
代理公司: 大连星海专利事务所 21208 代理人: 于忠晶
地址: 116024 辽*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要: 发明属于制备涂层的技术领域。一种熔炼坩埚用涂层的制备方法,首先对熔炼坩埚进行烘制预处理,然后采用PVP无水乙醇溶液与氮化硅配置悬浊液,将悬浊液均匀喷涂于熔炼坩埚内壁,最后将喷好涂层的熔炼坩埚进行预烧处理,即可在熔炼坩埚内壁得到一层厚度均匀、结构致密的氮化硅涂层。本发明的显著效果是在喷涂前对熔炼坩埚进行烘制预处理及清洗处理,有利于涂层的粘连,涂层悬浊液加入PVP无水乙醇溶液,烘制后无水乙醇蒸发,粘结剂PVP将涂层粘连到坩埚内壁上,涂层的粘连性较大,防止坩埚与熔体的反应粘连,实现铸锭的顺利脱模,同时防止杂质进入熔液,实现熔体的提纯效果,满足了铸造过程中涂层的使用要求。
搜索关键词: 一种 熔炼 坩埚 涂层 制备 方法
【主权项】:
一种熔炼坩埚用涂层的制备方法,其特征在于,首先对熔炼坩埚进行烘制预处理,然后采用PVP无水乙醇溶液与氮化硅配置悬浊液,将悬浊液均匀喷涂于熔炼坩埚内壁,最后将喷好涂层的熔炼坩埚进行预烧处理,即可在熔炼坩埚内壁得到一层厚度均匀、结构致密的氮化硅涂层。
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