[发明专利]利用硅藻土制备高纯单质硅的制备方法无效
| 申请号： | 201110152194.3 | 申请日： | 2011-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN102249240A | 公开（公告）日： | 2011-11-23 |
| 发明（设计）人： | 陈雪刚;叶瑛;朱旭恒;刘舒婷;张奥博;李海晏;潘丽;邵苏东 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | C01B33/023 | 分类号： | C01B33/023 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 张法高 |
| 地址： | 310027 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种利用硅藻土制备高纯单质硅的制备方法。通过简单的两个步骤：首先通过酸处理去除硅藻土中的杂质，随后通过金属热反应将其中的SiO2还原成为单质硅。由于硅藻土呈多孔状，结构松散，其中的杂质易于去除，因此所得单质硅的纯度在99%以上，有利于直接应用或进行进一步加工处理。本发明提出的利用硅藻土制备高纯单质硅的方法，原材料来源广泛，工艺流程简单，具有极强的经济价值和应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 硅藻土 制备 高纯 单质 方法 | ||
【主权项】：
一种利用硅藻土制备高纯单质硅的制备方法，其特征在于它的步骤如下：1)将硅藻土充分粉碎至100～10000目，在0.1～1.0 mol/L的稀盐酸溶液中浸泡1～24 h；2)将步骤1）的产物60～150 oC烘干后与产物质量50%～100%的金属还原剂粉末充分混合，放入炉中，隔绝空气或在惰性气体的保护下500～800 oC煅烧0.5～12 h；冷却后取出，产物在0.1～1.0 mol/L的稀盐酸溶液中浸泡1～24 h，烘干后即得纯度超过99%的单质硅。
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