[发明专利]栅极制作方法

摘要

本发明公开了一种栅极制作方法，包括步骤：衬底硅片上依次淀积栅绝缘层、多晶硅层和钨硅层；在氮气环境下进行退火处理；退火完成后在所述钨硅层上淀积氮化硅层；进行光刻和刻蚀，形成栅极；对栅极的侧壁进行氧化处理。本发明方法能形成由多晶硅层和钨硅层组成的多层膜的栅极，并在硅钨层上形成有氮化硅层作为栅极的保护层，从而能形成具有较低的电阻率、并能得到良好的保护的栅极。本发明方法通过在形成钨硅层之后、对钨硅层进行热处理，能够使钨硅层释放部分应力，从而能消除钨硅层和氮化硅层之间的应力、并能避免由应力而导致的在后续热处理工艺中导致薄膜鼓起或裂开的问题。

主权项

一种栅极制作方法，其特征在于，包括步骤：步骤一、衬底硅片上依次淀积栅绝缘层、多晶硅层和钨硅层；步骤二、所述钨硅层淀积完成后在氮气环境下进行退火处理；步骤三、退火完成后在所述钨硅层上淀积氮化硅层；步骤四、对所述硅片进行光刻定义出栅极区域，依次刻蚀掉所述栅极区域外的所述氮化硅层、所述钨硅层和所述多晶硅层，在所述栅极区域形成栅极，所述栅极由所述钨硅层和所述多晶硅层组成、并由所述氮化硅层保护；步骤五、对所述栅极的侧壁进行氧化处理。