[发明专利]一种化学气相沉积制备单层和多层石墨烯的方法

摘要

一种化学气相沉积制备单层和多层石墨烯的方法，涉及一种石墨烯材料的制备方法。步骤是，将金属衬底置于真空管式炉或者真空气氛炉中，在除去真空腔内氧气的情况下，将氢气注入真空腔中，并升温至800-1100摄氏度，再将碳源气体注入真空腔中，即得沉积石墨烯的金属衬底。本发明采用化学气相沉积法，在金属衬底（铜箔或镍箔等）上高温裂解甲烷或其他碳源气体，沉积得到石墨烯薄膜，从而提供一种制备超大面积单层或者多层石墨烯薄膜的方法。

主权项

一种化学气相沉积制备单层和多层石墨烯的方法，其特征在于：将过渡金属衬底置于真空反应炉中，在除去真空腔内氧气的情况下，将氢气注入真空腔中，并升温至800‑1100摄氏度，再将碳源气体注入真空腔中，同时保持氢气流量，1‑100分钟后即得沉积石墨烯的金属衬底。