[发明专利]热处理装置、热处理方法和存储介质无效
申请号: | 201110153706.8 | 申请日: | 2011-06-03 |
公开(公告)号: | CN102270563A | 公开(公告)日: | 2011-12-07 |
发明(设计)人: | 川口义广;佐竹政纪;八寻俊一 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供热处理装置、热处理方法和存储介质。包括:基板搬送机构(20);形成对在基板搬送路搬送的被处理基板(G)的热处理空间的第一腔室(8);能够变更加热或冷却温度的设定温度,能够将上述第一腔室内加热或冷却的第一加热·冷却机构(17、18);设置于上述第一腔室的前段,对在上述基板搬送路搬送的上述被处理基板进行检测的基板检测机构(45);和被供给上述基板检测机构的检测信号,并能够进行上述第一加热·冷却机构的控制的控制机构(40),上述控制机构,在向着上述第一腔室搬送的多个被处理基板中最前头的被处理基板被上述基板检测机构检测到时,将上述第一加热·冷却机构的设定温度从第一温度变更到第二温度。 | ||
搜索关键词: | 热处理 装置 方法 存储 介质 | ||
【主权项】:
一种热处理装置,对水平搬送的基板进行热处理,该热处理装置的特征在于,包括:形成基板搬送路,将所述基板沿着所述基板搬送路水平搬送的基板搬送机构;覆盖所述基板搬送路的规定区间,并形成对在所述基板搬送路搬送的所述基板的热处理空间的第一腔室;能够变更加热或冷却温度的设定温度,能够将所述第一腔室内加热或冷却的第一加热·冷却机构;设置于所述第一腔室的前段,对在所述基板搬送路搬送的基板进行检测的基板检测机构;和被供给所述基板检测机构的检测信号,并对所述第一加热·冷却机构进行控制的控制机构,其中,所述控制机构,在向着所述第一腔室被搬送的基板中最前头的基板被所述基板检测机构检测到时,将所述第一加热·冷却机构的设定温度从第一温度变更到第二温度,搬入到所述第一腔室内的所述最前头的基板,在所述第一温度与所述第二温度之间的气氛温度下被热处理。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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