[发明专利]MEMS谐振器有效
申请号: | 201110153799.4 | 申请日: | 2011-06-09 |
公开(公告)号: | CN102299696A | 公开(公告)日: | 2011-12-28 |
发明(设计)人: | 罗伯特·詹姆斯·帕斯科·兰德 | 申请(专利权)人: | NXP股份有限公司 |
主分类号: | H03H3/00 | 分类号: | H03H3/00 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 王波波 |
地址: | 荷兰艾*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
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摘要: | 本发明提供了一种MEMS谐振器器件,包括:两个匹配的谐振器,这两个匹配的谐振器相对于晶体半导体的晶体结构以不同方式对准。每个谐振器包括由杨氏模量温度相关性与晶体半导体材料的杨氏模量温度相关性不同的材料组成的部分。这样,谐振器的悬挂弹簧具有不同的特性,所述不同的特性影响谐振频率。测量校准温度和操作温度下第一谐振器与第二谐振器之间的谐振频率比值。然后根据谐振器之一的温度相关性,得到操作频率下谐振器之一(或两个谐振器)的频率。 | ||
搜索关键词: | mems 谐振器 | ||
【主权项】:
一种晶体半导体谐振器器件,包括:基板,包括晶体半导体层(14);第一谐振器(40),形成在晶体半导体层(14)中,并且具有拉长弹簧元件(44),第一谐振器(40)的拉长弹簧元件(44)包括晶体半导体层的第一部分,用于支撑第一谐振器的半导体谐振器质量块;第二谐振器(42),形成在晶体半导体层(14)中,并且具有拉长弹簧元件(46),第二谐振器(42)的拉长弹簧元件(46)包括晶体半导体层的第二部分,用于支撑第二谐振器的谐振器质量块,其中,拉长弹簧元件(44、46)相对于晶体半导体的晶体结构而对准,使得杨氏模量不同,其特征在于,第一谐振器和第二谐振器的拉长弹簧元件(44、46)分别都包括由杨氏模量温度相关性与晶体半导体材料的杨氏模量温度相关性不同的材料组成的部分;以及所述器件还包括:测量装置,用于测量在校准温度和操作温度下第一谐振器与第二谐振器之间的谐振频率比值,以及考虑到谐振器中一个的温度相关性,从所述谐振频率比值得到操作温度下谐振器中所述一个的频率。
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