[发明专利]一种低成本无损转移石墨烯的方法有效

专利信息
申请号: 201110154465.9 申请日: 2011-06-09
公开(公告)号: CN102719877A 公开(公告)日: 2012-10-10
发明(设计)人: 任文才;高力波;马来鹏;成会明 申请(专利权)人: 中国科学院金属研究所
主分类号: C25F3/00 分类号: C25F3/00;C04B41/50
代理公司: 沈阳优普达知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 21234 代理人: 张志伟
地址: 110016 辽*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要: 发明涉及石墨烯的转移技术,具体为一种低成本无损转移石墨烯的新方法。该方法采用表面覆盖有转移介质的石墨烯和初始基体作为电极,将其放置于电解液中,利用电解过程中在石墨烯电极表面所产生的气泡的推动力及气体插层作用将石墨烯与初始基体无损分离,然后将覆盖有转移介质的石墨烯无损结合到目标基体表面,去除转移介质后实现石墨烯到目标基体的无损转移。该转移方法对石墨烯及其初始基体均无任何破坏和损耗,基体可重复使用,并且操作简便、速度快、易于调控、无污染,有望实现规模化放大,因此可作为一种低成本转移高质量石墨烯的理想方法,为石墨烯材料在透明导电材料、电子器件材料以及传感器材料等领域的广泛应用奠定了基础。
搜索关键词: 一种 低成本 无损 转移 石墨 方法
【主权项】:
一种低成本无损转移石墨烯的方法,其特征在于:该方法采用覆盖有转移介质的石墨烯和初始基体作为电极,石墨烯任意覆盖在初始基体表面,将其放置于电解液中,利用电解过程中在石墨烯电极表面所产生的气泡的推动力及气体插层作用将石墨烯与初始基体无损分离,然后将覆盖有转移介质的石墨烯结合到目标基体表面,在去除转移介质后可实现石墨烯无损转移到目标基体上;该转移方法在实施过程中对石墨烯及其初始基体均无任何破坏和损耗,初始基体重复使用;具体步骤如下:(1)转移介质层的涂覆:在表面生长有或放置有石墨烯的初始基体涂覆一层转移介质,以防止石墨烯在后续处理中损坏;(2)转移介质/石墨烯复合层与初始基体的分离:将覆盖有转移介质的石墨烯和初始基体作为电极置于溶液中,通过电解的方法在其表面产生气体,利用气泡的推动力及其插层作用将石墨烯与初始基体无损分离;(3)转移介质/石墨烯复合层与目标基体的结合:采用直接接触方法将转移介质/石墨烯复合层置于目标基体表面;(4)转移介质的去除:采用溶剂溶解或者加热方法将覆盖在石墨烯表面的转移介质去除。
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