[发明专利]存储装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201110154803.9 | 申请日： | 2011-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN102290528B | 公开（公告）日： | 2017-03-01 |
| 发明（设计）人： | 大塚涉 | 申请（专利权）人： | 索尼半导体解决方案公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24;H01L21/8239 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司11290 | 代理人： | 褚海英,武玉琴 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种存储装置及其制造方法，所述存储装置包括为每个存储单元单独形成的下部电极；在下部电极上形成并且能够根据电阻值变化而记录信息的存储层；和形成于存储层上的上部电极，其中，所述下部电极包括由金属或金属硅化物制成的第一层和在第一层上形成并且由金属氮化物制成的第二层，下部电极由第一层和第二层层叠而成，并且下部电极形成为使得仅第一层与其下方的层接触，并且仅第二层与作为其上方的层的存储层接触，存储层和上部电极形成为被多个存储单元共用。根据本发明，可对存储单元施加期望的电流和电压，并且获得良好的开关特性；可在存储单元中准确地且稳定地记录信息，并实现高度可靠的存储装置。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种存储装置，其包括：下部电极，其为每个存储单元单独形成；存储层，其形成于所述下部电极上，并且能够根据电阻值的变化而记录信息，所述存储层的所述电阻值的变化是凭借设置为与所述存储层接触的离子源层而产生的；和上部电极，其形成于所述存储层上，其中，所述下部电极包括：第一层，其由金属或金属硅化物制成；和第二层，其形成于所述第一层上，并且由金属氮化物制成，所述第一层的表面被所述第二层覆盖，并且仅使所述第二层与所述存储层接触，其中，所述存储层形成为被多个存储单元共用，并且所述上部电极形成为被所述多个存储单元共用。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于索尼半导体解决方案公司，未经索尼半导体解决方案公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110154803.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
