[发明专利]Cu2CdSnS4或Cu2FeSnS4纳米晶的水热制备方法

摘要

本发明公开了一种低成本、高质量的Cu2CdSnS4或Cu2FeSnS4纳米晶的水热制备方法，该方法是：通过将溶剂无水乙二胺和反应物前躯体氯化铜、氯化镉或者硫酸亚铁、氯化亚锡和硫粉加入高压釜中，然后升高温度进行反应一定时间，反应完毕后，将纳米晶融于异丙醇和甲苯的混合溶液；然后以5000-12000转/min的速度离心3-10分钟收集纳米晶，最终得到高质量的Cu2CdSnS4或Cu2FeSnS4纳米晶。本发明的优点在于：纳米晶的制备方法简单，合成温度低，所用前躯体材料成本低廉，制备的纳米晶颗粒分散性、结晶性较好等。该发明制备的Cu2CdSnS4或Cu2FeSnS4纳米晶可作为光伏器件的吸收层或者良好的热电及磁性材料。

主权项

一种Cu2CdSnS4 或Cu2FeSnS4纳米晶的制备方法，其特征在于具有如下的制备过程和步骤：a.依次将溶剂无水乙二胺和反应物前躯体氯化铜、氯化镉或者硫酸亚铁、氯化亚锡、硫粉加入一个高压釜中，将反应温度升高到1800C反应15小时，移除加热装置使反应物冷却，向冷却后的反应物中加入异丙醇和甲苯混合溶液；然后以5000~12000转/min的速度离心3~10分钟收集纳米晶；最终得到Cu2CdSnS4 或Cu2FeSnS4的纳米晶；   制备过程中各原料配比为：   CuCl2:CdCl2:SnCl2:S=(0.5~1.0): (0.25~0.5): (0.25~0.5): 1；   CuCl2:FeSO4:SnCl2:S=(0.5~1.0): (0.25~0.5): (0.25~0.5): 1。