[发明专利]一种在砷化镓基片上外延生长钛酸锶薄膜的方法无效
| 申请号： | 201110155246.2 | 申请日： | 2011-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN102181833A | 公开（公告）日： | 2011-09-14 |
| 发明（设计）人： | 黄文;郝建华;吴真平;林媛;曾慧中;张胤;杜辉;刘升华 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | C23C14/28 | 分类号： | C23C14/28 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 周永宏 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种在砷化镓基片上外延生长钛酸锶薄膜的方法。包括如下步骤：步骤1：对GaAs基片做表面处理形成原子级平整的Ga原子为终结面的清洁表面；步骤2：将步骤1处理后的GaAs基片和STO靶材送入并固定在激光分子束外延设备的真空腔体中；步骤3：对步骤2中固定好的GaAs基片加热到550℃-600℃之间；步骤4：用激光束蒸发步骤2中固定好的STO靶材，使STO在GaAs基片上沉积，沉积过程中用反射高能电子衍射监测薄膜生长过程，当衍射花样出现典型STO的衍射条纹可得到STO外延薄膜。本发明的有益效果：由于本方法中将GaAs基片做表面处理形成原子级平整的Ga原子为终结面的清洁表面，克服了在GaAs基片二元化合物上生长介电氧化物薄膜的困难。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 砷化镓基片上 外延 生长 钛酸锶 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
一种在砷化镓基片上外延生长钛酸锶薄膜的方法，包括如下步骤：步骤1：对GaAs基片做表面处理形成原子级平整的Ga原子为终结面的清洁表面；步骤2：将步骤1处理后的GaAs基片和STO靶材送入并固定在激光分子束外延设备的真空腔体中；步骤3：对步骤2中固定好的GaAs基片加热到550℃‑600℃之间。步骤4：用激光束蒸发步骤2中固定好的STO靶材，使STO在GaAs基片上沉积，沉积过程中用反射高能电子衍射监测薄膜生长过程，当衍射花样出现典型STO的衍射条纹可得到STO外延薄膜。
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