[发明专利]一种GaN基LED交流电照明芯片及其制备方法

摘要

本发明揭示了一种GaN基LED交流电照明芯片，该照明芯片为由LED微阵列构成，该LED微阵列包含蓝宝石衬底上的N型GaN的Mesa隔离结构、PN结有源区、二氧化硅绝缘层，且每个LED微阵列分别具有各自多层金属的N型电极和P型电极，其特征在于：该照明芯片为由至少两组导通方向相反的LED微阵列并联构成，相并联的两极引线在压焊区域上的设有压焊电极，分别用于与交流供电源的两极相连。本发明GaN基LED交流电照明芯片及其制备方法，提供了一种用于交流电照明的LED集成化单芯片，解决了交流电不能直接驱动LED的局限，大大简化了LED照明芯片的驱动电路，推广了LED在市电照明系统中的应用；同时，采用微阵列的结构可以减小LED照明芯片的热阻，提高了器件的寿命和可靠性。

主权项

一种GaN基LED交流电照明芯片，所述照明芯片为由LED微阵列构成，所述LED微阵列包含蓝宝石衬底上的N型GaN的Mesa隔离结构、PN结有源区、二氧化硅绝缘层，且每个所述LED微阵列分别具有各自多层金属的N型电极和P型电极，其特征在于：所述照明芯片为由至少两组导通方向相反的LED微阵列并联构成，相并联的两极引线在压焊区域上设有压焊电极，分别用于与交流供电源的两极相连。