[发明专利]为进一步处理保护硫化镉的器件及方法

摘要

本发明为进一步处理保护硫化镉的器件及方法。提供了用于保护衬底12上硫化镉层18的方法。在一个具体实施例中，该方法能包括：在10mTorr到约150mTorr的溅射压力，从硫化镉靶将硫化镉层18溅射到衬底上，并在硫化镉层上直接溅射盖层19。盖层19能在10mTorr到约150mTorr的溅射压力从硫化镉靶直接溅射到硫化镉层18上，而不破坏溅射压力。还提供了用于制造基于碲化镉的薄膜光伏器件10的方法。

主权项

一种为进一步处理而保护硫化镉层18的方法，所述方法包括：在溅射压力从硫化镉靶将硫化镉层18溅射到衬底12上；以及在所述硫化镉层18上直接溅射盖层19，而不破坏所述溅射压力的真空。