[发明专利]一种用于硅薄膜电池陷光结构研究的化学气相沉积设备

摘要

一种用于硅薄膜电池陷光结构研究的化学气相沉积设备，包括镀膜装置和气体管路，镀膜装置包括镀膜室和装片室，镀膜室内设有衬底、加热器和带筛孔的气盒，装片室设有内部的层式样品架、侧面样品推动杆和顶部的层式样品架升降机构，镀膜室和装片室分别通过管道与真空泵组抽气管道连接；在O2/CO2、B2H6和Ar气携带H2O气或DEZn的气体管路中分别设有进、出口阀、流量计、水密封储罐和DEZn密封储罐并通过管道进入镀膜室。本发明的优点：该化学气相沉积设备，可对样品进行大面积的镀膜并实现源材料的多种选择，提高镀膜效率；可控制薄膜的具体生长过程，操作简单且可靠稳定，提高硅薄膜太阳电池的性能，具有重大的生产实践意义。

主权项

一种用于硅薄膜电池陷光结构研究的化学气相沉积设备，其特征在于：包括镀膜装置和气体管路部分，气体管路部分包括O2/CO2气管路、Ar气携带H2O气管路、B2H6气体管路和Ar气携带DEZn气管路，镀膜装置为由镀膜室和装片室构成的箱体式密封容器，镀膜室和装片室之间设有用来分隔或接通的闸板阀，镀膜室内设有衬底、加热器和气盒并上下间隔排列，衬底用于放置待镀膜的样品，用于加热衬底的加热器通过导线与箱体外的电源连接，气盒为上面设有筛孔的封闭盒体，气盒通过管道分别与四条气体管路连接，镀膜室的顶部通过管道与真空泵组抽气管道连接并设有控制蝶阀和真空闸板阀，镀膜室的底部通过管道与真空泵组抽气管道连接；装片室内设有层式样品架，样品架的顶层与镀膜室内的衬底位于同一平面上，装片室的侧面设有样品推动杆，样品推拉杆与样品架的顶层位于同一平面上用于将样品架上的待镀膜样品推到衬底上，装片室的顶部设有升降机构并通过升降杆与层式样品架连接，升降机构的升降杆和样品推动杆与箱体结合处均设有真空密封组件，装片室的底部通过管道与真空泵组抽气管道连接并设有通断控制的闸板阀；O2/CO2气管路和Ar气携带H2O气管路为两条并联的气体管路， O2/CO2气管路包括O2/CO2气进口管、进口阀、流量计和出口阀并通过管道串联连接后进入镀膜室的顶部，流量计的进、出口通过管道并联有气动阀，Ar气携带H2O气管路包括Ar气进口管、进口阀、流量计、水密封储罐、针阀和出口阀并通过管道串联连接后进入镀膜室内的气盒，其中Ar气管路进入水密封储罐的进口管伸入水密封储罐的液相中，出口管从水密封储罐的气相引出并设有压力表，流量计的进、出口通过管道并联有气动阀，上述两条气体管路在两个流量计出口管道之间设有连接管道并设有气动阀；B2H6气体管路和Ar气携带DEZn气管路为两条并联的气体管路， B2H6气体管路包括B2H6气进口管、进口阀、流量计和出口阀并通过管道串联连接后与进入镀膜室内气盒的管道相接，流量计的进、出口通过管道并联有气动阀，Ar气携带DEZn气管路包括Ar气进口管、进口阀、流量计、DEZn密封储罐、针阀和出口阀并通过管道串联连接后在针阀后与上述同一条进入镀膜室内气盒的管道相接，其中Ar气管路进入DEZn密封储罐的进口管伸入DEZn密封储罐的液相中，出口管从DEZn密封储罐的气相引出并设有压力表，流量计的进、出口通过管道并联有气动阀，在上述两条气体管路的并联处通过管道与真空泵抽气管道连接并设有控制蝶阀。